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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IPL65R165CFDAUMA1
IPL65R165CFDAUMA1

IPL65R165CFDAUMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPL65R165CFDAUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 4VSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPL65R165CFDAUMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IPL65R165CFDAUMA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
13731 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.938/pcs
Notre prix
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IPL65R165CFDAUMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPL65R165CFDAUMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 21.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2340pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 9.3A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-VSON-4
Paquet / cas 4-PowerTSFN
Poids -
Pays d'origine -

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