IPL65R070C7AUMA1

IPL65R070C7AUMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPL65R070C7AUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 4VSON
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IPL65R070C7AUMA1 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
IPL65R070C7AUMA1.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
5607 pcs
Precio de referencia
USD 4.6456/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para IPL65R070C7AUMA1

IPL65R070C7AUMA1 Descripción detallada

Número de pieza IPL65R070C7AUMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 28A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 850µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 169W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 8.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-VSON-4
Paquete / caja 4-PowerTSFN
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA IPL65R070C7AUMA1