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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › BSM35GP120GBOSA1
BSM35GP120GBOSA1

BSM35GP120GBOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSM35GP120GBOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSM35GP120GBOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1042 pcs
Prix ​​de référence
USD 157.583/pcs
Notre prix
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BSM35GP120GBOSA1 Description détaillée

Numéro d'article BSM35GP120GBOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 45A
Puissance - Max 230W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 35A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 1.5nF @ 25V
Contribution Three Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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