BSM35GD120DN2E3224BOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article: BSM35GD120DN2E3224BOSA1
Fabricant: Infineon Technologies
Brève description: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie: Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 1570 pcs
Prix de référence: USD 104.723/pcs
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Numéro d'article	BSM35GD120DN2E3224BOSA1
État de la pièce	Not For New Designs
Type d'IGBT	-
Configuration	Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	50A
Puissance - Max	280W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 35A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	2nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	Module
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BSM35GD120DLC	EUPEC	IGBT-Module Maximum rated values	Détails
BSM35GD120DLCE3224BOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2	Détails
BSM35GD120DN2	Infineon Technologies	IGBT BSM35GD120DN2BOSA1	Détails
BSM35GD120DN2E3224BOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2	Détails