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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › BSM35GP120GBOSA1
BSM35GP120GBOSA1

BSM35GP120GBOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSM35GP120GBOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BSM35GP120GBOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1042 pcs
Referenzpreis
USD 157.583/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern BSM35GP120GBOSA1

BSM35GP120GBOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSM35GP120GBOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 45A
Leistung max 230W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 35A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.5nF @ 25V
Eingang Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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