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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › BSM35GP120BOSA1
BSM35GP120BOSA1

BSM35GP120BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSM35GP120BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 35A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BSM35GP120BOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1230 pcs
Referenzpreis
USD 133.71/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern BSM35GP120BOSA1

BSM35GP120BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSM35GP120BOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ NPT
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 45A
Leistung max 230W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.5nF @ 25V
Eingang -
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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