| Numéro d'article | GD25D10CEIGR |
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| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NOR |
| Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
| Fréquence d'horloge | 100MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | 50µs, 4ms |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | SPI - Dual I/O |
| Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-XFDFN Exposed Pad |
| Package de périphérique fournisseur | 8-USON (2x3) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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GD25-15P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Détails |
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GD25-15P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Détails |
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GD25-19P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Détails |
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GD25-19P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Détails |
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GD25-24P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Détails |
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GD25-24P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Détails |
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GD25D05CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Détails |
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GD25D05CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45 | Détails |
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GD25D05CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Détails |
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GD25D05CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Détails |
