| Artikelnummer | GD25D10CEIGR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 1Mb (128K x 8) |
| Taktfrequenz | 100MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 50µs, 4ms |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | SPI - Dual I/O |
| Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-XFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-USON (2x3) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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GD25-15P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Einzelheiten |
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GD25-15P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Einzelheiten |
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GD25-19P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Einzelheiten |
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GD25-19P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Einzelheiten |
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GD25-24P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | Einzelheiten |
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GD25-24P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | Einzelheiten |
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GD25D05CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Einzelheiten |
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GD25D05CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45 | Einzelheiten |
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GD25D05CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Einzelheiten |
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GD25D05CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | Einzelheiten |
