GD25D05CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Numéro d'article	GD25D05CEIGR
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	FLASH
La technologie	FLASH - NOR
Taille mémoire	512Kb (64K x 8)
Fréquence d'horloge	100MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page	50µs, 4ms
Temps d'accès	-
Interface de mémoire	SPI - Dual I/O
Tension - Alimentation	2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-XFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	8-USON (2x3)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GD25-15P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Détails
GD25-15P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Détails
GD25-19P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Détails
GD25-19P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Détails
GD25-24P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Détails
GD25-24P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Détails
GD25D05CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Détails
GD25D05CKIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45	Détails
GD25D05CTIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Détails
GD25D05CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Détails