| номер части | GD25D05CEIGR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NOR |
| Размер памяти | 512Kb (64K x 8) |
| Частота часов | 100MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | 50µs, 4ms |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | SPI - Dual I/O |
| Напряжение - Поставка | 2.7V ~ 3.6V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-XFDFN Exposed Pad |
| Пакет устройств поставщика | 8-USON (2x3) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GD25-15P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | подробности |
|
GD25-15P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | подробности |
|
GD25-19P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | подробности |
|
GD25-19P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | подробности |
|
GD25-24P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | подробности |
|
GD25-24P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | подробности |
|
GD25D05CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | подробности |
 |
GD25D05CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45 | подробности |
 |
GD25D05CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | подробности |
|
GD25D05CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | подробности |
