FDI9406_F085 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	FDI9406_F085
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	138nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7710pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	I2PAK (TO-262)
Paquet / cas	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FDI9406-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB	Détails
FDI9406_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB	Détails
FDI9409-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V	Détails
FDI9409_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V	Détails