FDI9406_F085 - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	FDI9406_F085
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	138nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7710pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	176W (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 80A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	I2PAK (TO-262)
Paket / Fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FDI9406-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB	Einzelheiten
FDI9406_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB	Einzelheiten
FDI9409-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V	Einzelheiten
FDI9409_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V	Einzelheiten