| Numéro d'article | MBR2150VG-G1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 2A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 2A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 150V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | DO-204AC, DO-15, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | DO-15 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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MBR200100 | MCC | 200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier | Détails |
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MBR200100CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | Détails |
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MBR200100CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | Détails |
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MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A SOT227 | Détails |
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MBR200150CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER | Détails |
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MBR200150CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER | Détails |
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MBR20020 | MCC | 200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier | Détails |
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MBR200200CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | Détails |
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MBR200200CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | Détails |
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MBR20020CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER | Détails |
