DMTH6010LPD-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMTH6010LPD-13
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	40.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2615pF @ 30V
Puissance - Max	2.8W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur	PowerDI5060-8
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMTH6002LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060	Détails
DMTH6004LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8	Détails
DMTH6004LPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	Détails
DMTH6004SCT	Diodes Incorporated	MOSFET 60V 100A TO220-3	Détails
DMTH6004SCTB-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH	Détails
DMTH6004SCTBQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A TO263	Détails
DMTH6004SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK	Détails
DMTH6004SK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 100A TO252	Détails
DMTH6004SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8	Détails
DMTH6004SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8	Détails