DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMTH6004LPSQ-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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31028 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.8564/pcs
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DMTH6004LPSQ-13 Description détaillée

Numéro d'article DMTH6004LPSQ-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 47.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4515pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerDI5060-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

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