DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMTH6004SK3-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DMTH6004SK3-13 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
25000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.5796/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13 Description détaillée

Numéro d'article DMTH6004SK3-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 95.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4556pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 90A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252, (D-Pak)
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR DMTH6004SK3-13