| Artikelnummer | DMTH6004LPSQ-13 |
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| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4515pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.6W (Ta), 138W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI5060-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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DMTH6002LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060 | Einzelheiten |
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DMTH6004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8 | Einzelheiten |
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DMTH6004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 | Einzelheiten |
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DMTH6004SCT | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 100A TO220-3 | Einzelheiten |
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DMTH6004SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH | Einzelheiten |
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DMTH6004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A TO263 | Einzelheiten |
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DMTH6004SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK | Einzelheiten |
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DMTH6004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 100A TO252 | Einzelheiten |
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DMTH6004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8 | Einzelheiten |
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DMTH6004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | Einzelheiten |
