DMTH6009LK3Q-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMTH6009LK3Q-13
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	14.2A (Ta), 59A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1925pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.2W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 13.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMTH6002LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060	Détails
DMTH6004LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8	Détails
DMTH6004LPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	Détails
DMTH6004SCT	Diodes Incorporated	MOSFET 60V 100A TO220-3	Détails
DMTH6004SCTB-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH	Détails
DMTH6004SCTBQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A TO263	Détails
DMTH6004SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK	Détails
DMTH6004SK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 100A TO252	Détails
DMTH6004SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8	Détails
DMTH6004SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8	Détails