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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › DMTH10H010LCTB-13
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMTH10H010LCTB-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DMTH10H010LCTB-13 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6000 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.0063/pcs
Notre prix
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DMTH10H010LCTB-13 Description détaillée

Numéro d'article DMTH10H010LCTB-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 108A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 53.7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2592pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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