| 부품 번호 | DMTH10H010LCTB-13 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 108A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 53.7nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2592pF @ 50V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 2.4W (Ta), 166W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 13A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-220AB |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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DMTH10H005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB | 세부 |
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DMTH10H005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB | 세부 |
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DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 108A TO220AB | 세부 |
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DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R | 세부 |
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DMTH10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50 | 세부 |
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DMTH10H010SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T | 세부 |
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DMTH10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | 세부 |
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DMTH10H010SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50 | 세부 |
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DMTH10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 | 세부 |
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DMTH10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI | 세부 |
