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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › DMTH10H005LCT
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMTH10H005LCT
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DMTH10H005LCT Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
11627 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.3/pcs
Notre prix
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DMTH10H005LCT Description détaillée

Numéro d'article DMTH10H005LCT
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 140A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3688pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 13A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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