| Numéro d'article | DMN63D1LV-7 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 550mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.392nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Puissance - Max | 940mW |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-563 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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DMN600V | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Détails |
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DMN600V-7 | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Détails |
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