DMN6013LFG-13

DMN6013LFG-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMN6013LFG-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DMN6013LFG-13 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
84728 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3202/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour DMN6013LFG-13

DMN6013LFG-13 Description détaillée

Numéro d'article DMN6013LFG-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 55.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2577pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerDI3333-8
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR DMN6013LFG-13