DMN6017SK3-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN6017SK3-13
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	43A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2711pF @ 15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN600V	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Détails
DMN600V-7	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Détails
DMN6013LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	Détails
DMN6013LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8	Détails
DMN6013LFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	Détails
DMN6013LFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI	Détails
DMN6017SFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333	Détails
DMN6017SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252	Détails
DMN601DMK	DIODES	DMN601DMK DIODES SOT163 New Original Stocks	Détails
DMN601DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26	Détails