| Numéro d'article | DMN61D8LVT-7 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 630mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Puissance - Max | 820mW |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Package de périphérique fournisseur | TSOT-26 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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DMN600V | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Détails |
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DMN600V-7 | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Détails |
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DMN6013LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Détails |
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DMN6013LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Détails |
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DMN6013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Détails |
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DMN6013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Détails |
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DMN601DMK | DIODES | DMN601DMK DIODES SOT163 New Original Stocks | Détails |
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DMN601DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26 | Détails |
