| Numéro d'article | DMN60H080DS-7 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 80mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 Ohm @ 60mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 25V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.1W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-23-3 |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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DMN600V | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Détails |
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DMN600V-7 | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Détails |
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DMN6013LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Détails |
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DMN6013LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Détails |
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DMN6013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Détails |
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DMN6013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Détails |
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DMN6017SFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | Détails |
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DMN6017SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 | Détails |
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DMN601DMK | DIODES | DMN601DMK DIODES SOT163 New Original Stocks | Détails |
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DMN601DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26 | Détails |
