DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMN4800LSSQ-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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62500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.205/pcs
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DMN4800LSSQ-13 Description détaillée

Numéro d'article DMN4800LSSQ-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8.6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 798pF @ 10V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.46W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids -
Pays d'origine -

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