DMN4800LSSQ-13 - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMN4800LSSQ-13
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	DMN4800LSSQ-13
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8.6A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	798pF @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.46W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 9A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
DMN4800LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP	Detalles
DMN4800LSSL-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO	Detalles
DMN4800LSSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO	Detalles