DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN4800LSSQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
62500 pcs
Referenzpreis
USD 0.205/pcs
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DMN4800LSSQ-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN4800LSSQ-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 798pF @ 10V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.46W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

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