DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMN10H100SK3-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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81912 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3168/pcs
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DMN10H100SK3-13 Description détaillée

Numéro d'article DMN10H100SK3-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1172pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 3.3A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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