DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMN1019UVT-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Prix ​​de référence
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DMN1019UVT-13 Description détaillée

Numéro d'article DMN1019UVT-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10.7A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 50.4nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2588pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.73W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TSOT-26
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids -
Pays d'origine -

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