DMG3N60SCT

DMG3N60SCT - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMG3N60SCT
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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30273 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.8656/pcs
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DMG3N60SCT Description détaillée

Numéro d'article DMG3N60SCT
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 354pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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