DMG3N60SCT

DMG3N60SCT - Diodes Incorporated

品番
DMG3N60SCT
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
30909 pcs
参考価格
USD 0.8656/pcs
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DMG3N60SCT 詳細な説明

品番 DMG3N60SCT
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.3A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 12.6nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 354pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 104W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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