DMG301NU-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMG301NU-13
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	260mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.36nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	27.9pF @ 10V
Vgs (Max)	8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMG301NU-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23	Détails
DMG301NU-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23	Détails
DMG302PU-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23	Détails
DMG302PU-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23	Détails
DMG3401LSN-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 3A SC59	Détails
DMG3402L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23	Détails
DMG3404L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23	Détails
DMG3404L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23	Détails
DMG3406L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23	Détails
DMG3406L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23	Détails