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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Mémoire › S27KL0641DABHI020
S27KL0641DABHI020

S27KL0641DABHI020 - Cypress Semiconductor Corp

Numéro d'article
S27KL0641DABHI020
Fabricant
Cypress Semiconductor Corp
Brève description
IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
S27KL0641DABHI020 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
S27KL0641DABHI020.pdf
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
890 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.3/pcs
Notre prix
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Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour S27KL0641DABHI020

S27KL0641DABHI020 Description détaillée

Numéro d'article S27KL0641DABHI020
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie DRAM
Taille mémoire 64Mb (8M x 8)
Fréquence d'horloge 100MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 40ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 24-VBGA
Package de périphérique fournisseur 24-FBGA (6x8)
Poids -
Pays d'origine -

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