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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Mémoire › S27KL0641DABHB020
S27KL0641DABHB020

S27KL0641DABHB020 - Cypress Semiconductor Corp

Numéro d'article
S27KL0641DABHB020
Fabricant
Cypress Semiconductor Corp
Brève description
IC 64M FLASH MEMORY
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
S27KL0641DABHB020 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
S27KL0641DABHB020.pdf
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
170 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.39/pcs
Notre prix
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S27KL0641DABHB020 Description détaillée

Numéro d'article S27KL0641DABHB020
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie DRAM
Taille mémoire 64Mb (8M x 8)
Fréquence d'horloge 100MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 40ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 24-VBGA
Package de périphérique fournisseur 24-FBGA (6x8)
Poids -
Pays d'origine -

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