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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › S27KL0641DABHI020
S27KL0641DABHI020

S27KL0641DABHI020 - Cypress Semiconductor Corp

Artikelnummer
S27KL0641DABHI020
Hersteller
Cypress Semiconductor Corp
Kurze Beschreibung
IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
S27KL0641DABHI020 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
S27KL0641DABHI020.pdf
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
890 pcs
Referenzpreis
USD 3.3/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern S27KL0641DABHI020

S27KL0641DABHI020 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer S27KL0641DABHI020
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie DRAM
Speichergröße 64Mb (8M x 8)
Taktfrequenz 100MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 40ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 24-VBGA
Lieferantengerätepaket 24-FBGA (6x8)
Gewicht -
Ursprungsland -

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