S27KL0641DABHI023

S27KL0641DABHI023 - Cypress Semiconductor Corp

Artikelnummer
S27KL0641DABHI023
Hersteller
Cypress Semiconductor Corp
Kurze Beschreibung
IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
S27KL0641DABHI023 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
S27KL0641DABHI023.pdf
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
11876 pcs
Referenzpreis
USD 2.2944/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern S27KL0641DABHI023

S27KL0641DABHI023 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer S27KL0641DABHI023
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie DRAM
Speichergröße 64Mb (8M x 8)
Taktfrequenz 100MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 40ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 24-VBGA
Lieferantengerätepaket 24-FBGA (6x8)
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR S27KL0641DABHI023