CXDM1002N TR - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article	CXDM1002N TR
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V
Vgs (Max)	20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-89
Paquet / cas	TO-243AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CXDM1002N TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89	Détails
CXDM3069N TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89	Détails
CXDM4060N TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89	Détails
CXDM4060P TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89	Détails
CXDM6053N TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89	Détails