CXDM1002N TR - Central Semiconductor Corp

номер части	CXDM1002N TR
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	6nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	550pF @ 25V
Vgs (Макс.)	20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.2W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 2A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-89
Упаковка / чехол	TO-243AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
CXDM1002N TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89	подробности
CXDM3069N TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89	подробности
CXDM4060N TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89	подробности
CXDM4060P TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89	подробности
CXDM6053N TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89	подробности