CXDM6053N TR

CXDM6053N TR - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article
CXDM6053N TR
Fabricant
Central Semiconductor Corp
Brève description
MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
32500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.462/pcs
Notre prix
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CXDM6053N TR Description détaillée

Numéro d'article CXDM6053N TR
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 30V
Vgs (Max) 20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 5.3A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-89
Paquet / cas TO-243AA
Poids -
Pays d'origine -

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