LN100LA-G

LN100LA-G - Microchip Technology

Numéro d'article
LN100LA-G
Fabricant
Microchip Technology
Brève description
MOSFET 2N-CH 1200V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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4086 pcs
Prix ​​de référence
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LN100LA-G Description détaillée

Numéro d'article LN100LA-G
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Cascoded)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Puissance - Max 350mW
Température de fonctionnement -25°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-VFLGA
Package de périphérique fournisseur 6-LFGA (3x3)
Poids -
Pays d'origine -

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