LN100LA-G

LN100LA-G - Microchip Technology

Número de pieza
LN100LA-G
Fabricante
Microchip Technology
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 1200V
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4356 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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LN100LA-G Descripción detallada

Número de pieza LN100LA-G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET 2 N-Channel (Cascoded)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 10µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Potencia - Max 350mW
Temperatura de funcionamiento -25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-VFLGA
Paquete de dispositivo del proveedor 6-LFGA (3x3)
Peso -
País de origen -

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