| Artikelnummer | LN100LA-G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Cascoded) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 10µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Leistung max | 350mW |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VFLGA |
| Lieferantengerätepaket | 6-LFGA (3x3) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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LN100F10KE | Ohmite | RES CHAS MNT 10K OHM 1% 100W | Einzelheiten |
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LN100F7R0E | Ohmite | RES CHAS MNT 7 OHM 1% 100W | Einzelheiten |
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LN100F916RE | Ohmite | RES CHAS MNT 916 OHM 1% 100W | Einzelheiten |
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LN100LA-G | Microchip Technology | MOSFET 2N-CH 1200V | Einzelheiten |
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LN1134A302MR | LN | LN1134A302MR LN SOT235 New Original Stocks | Einzelheiten |
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LN1134A332MR | LN | LN1134A332MR LN SOT23-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
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LN1134B282MR | LN | LN1134B282MR LN SOT153 New Original Stocks | Einzelheiten |
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LN1134B302MR | LN | LN1134B302MR LN SOT235 New Original Stocks | Einzelheiten |
