AOWF10T60P - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AOWF10T60P
État de la pièce	Last Time Buy
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1595pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-262F
Paquet / cas	TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
AOWF10N60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A TO262F	Détails
AOWF10N65	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 650V 10A TO262F	Détails
AOWF10T60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A TO262F	Détails
AOWF10T60P	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A TO-262	Détails
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