| Numéro d'article | AOWF10N60 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-262F |
| Paquet / cas | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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AOW10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO262 | Détails |
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AOW10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO262 | Détails |
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AOW10T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO262 | Détails |
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AOW10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB | Détails |
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AOW11N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | Détails |
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AOW11S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | Détails |
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AOW11S65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 11A TO262 | Détails |
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AOW12N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 12A TO262 | Détails |
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AOW12N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 12A TO262 | Détails |
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AOW12N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 12A TO262 | Détails |
