AOW12N60

AOW12N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article
AOW12N60
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 600V 12A TO262
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
39022 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.698/pcs
Notre prix
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AOW12N60 Description détaillée

Numéro d'article AOW12N60
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-262
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids -
Pays d'origine -

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