AOWF10N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numéro d'article	AOWF10N65
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1645pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	-
Paquet / cas	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
AOW10N60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A TO262	Détails
AOW10N65	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 650V 10A TO262	Détails
AOW10T60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A TO262	Détails
AOW10T60P	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB	Détails
AOW11N60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 11A TO262	Détails
AOW11S60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 11A TO262	Détails
AOW11S65	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 650V 11A TO262	Détails
AOW12N50	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 500V 12A TO262	Détails
AOW12N60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 600V 12A TO262	Détails
AOW12N65	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 650V 12A TO262	Détails