E3M0280090D Descripción detallada
| Número de pieza |
E3M0280090D |
| Estado de la pieza |
Active |
| Tipo de FET |
N-Channel |
| Tecnología |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
900V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
11.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
360 mOhm @ 7.5A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 1.2mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
9.5nC @ 15V |
| Vgs (Max) |
+18V, -8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
150pF @ 600V |
| Característica FET |
- |
| Disipación de potencia (Máx) |
54W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-247-3 |
| Paquete / caja |
TO-247-3 |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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