E3M0120090D - Cree/Wolfspeed

Número de pieza	E3M0120090D
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 3mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17.3nC @ 15V
Vgs (Max)	+18V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 600V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	97W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / caja	TO-247-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
E3M0065090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 65 MOHM G3 SIC M	Detalles
E3M0120090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC	Detalles
E3M0280090D	Cree/Wolfspeed	E-SERIES 900V 280 MOHM G3 SIC	Detalles